Especificações de Memória: Parâmetros da Folha de Dados (Datasheet)

Existem muitas especificações e parâmetros diferentes usados ​​nas folhas de dados de memória de semicondutores: tudo, desde o tamanho e tecnologia até o desempenho de saída, trilhos de tensão, velocidade, temporização e afins.

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Tutorial de Memória Semicondutora Inclui:

Tipos e tecnologias de memória | Especificações e parâmetros de memória | Tendências Futuras

Tipos de memória:

DRAM | EEPROM | Flash | FRAM | MRAM | Memória de mudança de fase | SDRAM | SRAM

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Embora muitas das especificações e parâmetros usados ​​com memórias semicondutoras sejam comuns a todos os CIs. Existem muitas especificações e parâmetros de memória específicos que são usados.

Compreender as diferentes especificações e parâmetros de memória do semicondutor permite que o chip certo seja selecionado dentre a enorme variedade disponível.

Principais especificações e parâmetros de memória

Existem muitos parâmetros de memória de semicondutores que podem ser especificados. Normalmente, todos eles aparecem na folha de dados de uma determinada memória. No entanto, algumas das principais especificações de memória são descritas abaixo:

• Tipo de memória:   Obviamente, o tipo de memória tem uma influência importante no aplicativo. Memórias diferentes têm propriedades diferentes e, portanto, especificações e parâmetros significativamente diferentes. A primeira escolha de qualquer memória para uso em um sistema é o tipo de memória.   . . . . Leia mais sobre os tipos e tecnologias de memória de semicondutores.
• Especificação do tamanho da memória:   A especificação do tamanho da memória é possivelmente o parâmetro mais importante a ser especificado. A forma como a memória é especificada é padronizada pelo JEDEC (JEDEC Standard 100B.01) e este formato é usado praticamente universalmente para especificações de memória:
  • b – bit:   Esta é a notação que se refere a um único elemento de dados, ou seja, um dígito que é 1 ou zero.
  • B-byte:   A definição para isso é uma cadeia de caracteres binários que normalmente é menor que uma palavra de computador. Um byte é normalmente oito bits.
  As definições dos multiplicadores também precisam ser entendidas, pois os multiplicadores padrão não correspondem exatamente aos multiplicadores decimais, pois são baseados em um formato binário:
  • k – quilo:   O multiplicador do quilo é igual a 1.024. Isso corresponde a 2 ¹⁰
  • M – Mega:   O multiplicador Mega é igual a 1 048 576. Isso corresponde a 2 ²⁰ ou k ² .
  • G – Giga:   O multiplicador Giga é igual a 1 073 741 824. Isso corresponde a 2 ³⁰ ou k ³ .
  • T – Tera:   O multiplicador Tera é igual a 1 099 511 627 776. Isso corresponde a 2 ⁴⁰ ou k ⁴ .
  Assim, as memórias seriam especificadas no formato de 32Mb para uma memória de 32 megabits e 512MB para uma memória de 512 Megabytes, etc.
  
• Velocidade da memória:   Outra especificação chave da memória é a velocidade da memória. Isso normalmente é citado como a taxa na qual a memória pode ser cronometrada e é dada como uma frequência, por exemplo, 400 MHz, etc. Freqüentemente, a velocidade será incorporada ao tipo de memória. Por exemplo, para memórias de estilo DDR, ele é anexado ao ID do estilo de memória, por exemplo, DDR-400 é uma memória de 400 MHz. No entanto, é importante notar que o clock real das memórias estilo DDR é metade do clock rotulado – as memórias DDR-400 operam a 200 MHz.
• Especificações de tempo de memória:   Esta categoria de especificações de memória é de grande importância porque muitas vezes determina a velocidade geral de operação de um sistema processador. Se grandes quantidades de dados precisam ser acessadas, a velocidade de recuperação é crucial. Atrasos retardarão a operação do sistema. Existem vários tipos diferentes de especificação de velocidade de memória e eles dependerão do tipo de memória usada:
  • CAS Latency, tCL:   Column Address Strobe ou Column Address Select, CAS refere-se ao tempo em ciclos de clock entre o início de um comando de leitura e quando a leitura é executada. O tempo de latência CAS é efetivamente o atraso de resposta dentro da memória. Este é um indicador chave do desempenho da memória.
  • Temporização tRAS:   Min RAS Active Time. Isso indica quanto tempo a memória deve esperar até que o próximo acesso à memória possa ser iniciado. É efetivamente, a quantidade de tempo entre uma linha sendo ativada por pré-carga e desativada. Uma linha não pode ser desativada até que o tRAS seja concluído. Quanto mais baixo, mais rápido o desempenho, mas se for muito baixo, pode causar corrupção de dados desativando a linha muito cedo.
  • Temporização tRCD:   Esta especificação de memória para temporização refere-se ao atraso RAS para CAS, ou seja, o estroboscópio/seleção de endereço de linha para estroboscópio/seleção de endereço de coluna. É o atraso de tempo em ciclos entre a ativação da linha RAS e a coluna CAS onde os dados são armazenados na matriz.
  • Temporização tRP:   Tempo de pré-carga da linha. Este é o tempo mínimo entre os comandos ativos e as leituras/escritas do próximo banco no módulo de memória. É o tempo entre a desabilitação da linha de acesso dos dados até o início de outro ciclo de leitura.
• Tensão de alimentação:   Com muitas famílias lógicas não operando em tensões muito mais baixas para economizar energia e aumentar a velocidade, é necessário garantir que a família de memória adotada opere na tensão de alimentação necessária. Isso não apenas garantirá que a memória funcione com a voltagem correta, mas também será capaz de interagir adequadamente com os outros componentes.

Existem muitas especificações de memória diferentes usadas nas folhas de dados, mas estas representam algumas das mais importantes usadas.

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