DDR / DDR1 SDRAM Memory
DDR SDRAM, também chamada DDR1 SDRAM é uma forma de memória semicondutora – tão popular quando introduzida pela primeira vez, agora foi superada.
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O tutorial de Memória SDRAM inclui:
O que é a memória SDRAM | Arquitetura SDRAM | Temporização e Controle SDRAM | SDRAM DDR / DDR1 | SDRAM DDR2 | SDRAM DDR3 | SDRAM DDR4 | Padrão JEDEC 79 |
Tipos de memória:
DRAM | EEPROM | Flash | FRAM | MRAM | Memória de mudança de fase | SDRAM | SRAM
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DDR ou como às vezes era chamado DDR1 SDRAM foi um desenvolvimento da primeira tecnologia de memória SDRAM para melhorar seu desempenho.
A sigla DDR significa Double Data Rate e, como tal, deu um aumento significativo na velocidade de operação da geração anterior da tecnologia SDRAM no momento de sua introdução.
DDR SDRAM / DDR1 SDRAM foi a primeira encarnação dessa tecnologia e alcançou seu aumento de velocidade transferindo dados duas vezes por ciclo, ou seja, tanto na borda ascendente quanto na descendente do sinal de clock.
Como resultado de sua melhoria de velocidade, DDR / DDR1 SDRAM foi rapidamente adotado e taxa de dados única, SDRAM logo se tornou obsoleto.
Noções básicas de DDR SDRAM / DDR1 SDRAM
DDR SDRAM utiliza técnicas que incluem controles de tempo muito rígidos para aumentar as taxas de transferência de dados em quase um fato de dois.
Os requisitos de temporização muito apertados geralmente exigem o uso de loops de travamento de fase e técnicas de autocalibração para garantir que o tempo seja suficientemente preciso.
A chave para a operação é que o DDR SDRAM é capaz de transferir dados tanto nas bordas ascendentes quanto nas descendentes do pulso de clock. Isso tem muitas vantagens, não apenas aumentando a taxa de dados, mas também reduzindo outros problemas, como os requisitos de integridade do sinal. Nessas velocidades, a integridade do sinal pode se tornar um problema significativo e maximizar a taxa de transferência de dados para uma determinada taxa de clock fornece melhorias nessa área.
| TAXAS DE DADOS DDR SDRAM E VELOCIDADES DE CLOCK | ||
|---|---|---|
| TIPO SDRAM DDR | TAXA DE DADOS MB/S/PINO | VELOCIDADE DO CLOCK DA MEMÓRIA (MHZ) |
| DDR-266 | 266 | 133 |
| DDR-333 | 333 | 166 |
| DDR-400 | 400 | 200 |
SDRAMs DDR acessam vários locais de memória em um único comando de leitura ou gravação.
Uma operação de leitura de memória envolve o envio de um comando “Ativar” seguido de um comando “Ler”.
A memória tem uma certa latência após a qual os dados estão disponíveis – a memória fornece uma rajada de dados de dois, quatro ou oito locais de memória a uma taxa de dois locais de memória por ciclo de clock. Portanto, é possível ler quatro posições de memória em dois ciclos de clock consecutivos.
Bancos e matrizes DDR SDRAM
A memória DDR SDRAM possui vários bancos dentro da memória. Isso permite que a memória forneça vários acessos de memória intercalados e isso permite que a largura de banda geral da memória seja aumentada. Um banco de memória é igual a uma matriz ou memória.
Esses bancos podem ser endereçados separadamente e, para acomodar essa memória, é necessário endereçar. Como isso é feito em notação binária, quatro bancos de memória DDR SDRAM requerem duas linhas para endereçamento: BA0 e BA1.
Para fornecer um exemplo de como o DDR SDRAM opera em bancos, um DDR SDRAM de quatro bancos pode operar da seguinte maneira:
- Um comando de ativação abre uma linha no primeiro banco SDRAM.
- Um segundo comando Ativar ativa uma linha no segundo banco.
- Comandos de leitura ou gravação podem ser enviados para colunas nas linhas nos bancos um e dois onde as linhas estão abertas.
- Um comando de pré-carga é enviado assim que as operações de leitura ou gravação são concluídas. Isso fecha as áreas de linha e banco abertas.
- A memória está pronta para o próximo comando Ativar.
Potência SDRAM DDR/DDR1
Embora DDR SDRAM forneça uma melhoria na velocidade, isso tem um custo de energia dissipada.
A potência exigida por um SDRAM DDR/DDR1 está relacionada ao número de linhas que estão abertas a qualquer momento. Assim, para obter a operação mais rápida, é necessário abrir várias linhas juntas, mas isso consome mais energia. Para operação de baixa potência, apenas uma linha deve estar aberta a qualquer momento em cada banco e também não deve haver vários bancos com linhas abertas.
DDR / DDR1 SDRAM deu melhorias significativas no desempenho na época. No entanto, foi substituído pela próxima geração de SDRAM conhecida como DDR2 SDRAM.
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