Operação e Temporização de Controle da Memória SDRAM
Com a memória SDRAM operando de maneira síncrona, o tempo e a operação dos sinais de controle são cruciais.
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O tutorial de Memória SDRAM inclui:
O que é a memória SDRAM | Arquitetura SDRAM | Temporização e Controle SDRAM | SDRAM DDR / DDR1 | SDRAM DDR2 | SDRAM DDR3 | SDRAM DDR4 | Padrão JEDEC 79 |
Tipos de memória:
DRAM | EEPROM | Flash | FRAM | MRAM | Memória de mudança de fase | SDRAM | SRAM
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A DRAM síncrona oferece muitas vantagens em termos de velocidade e operação. O tempo e a operação dos sinais de controle são fundamentais para o bom funcionamento dessa forma de memória.
Para que o SDRAM funcione corretamente, o tempo da linha de controle precisa ser tratado corretamente para uma operação precisa.
Existem naturalmente problemas de operação e temporização que são diferentes de outras formas de memória.
Operação do sinal de controle SDRAM
A operação assíncrona da DRAM causou muitos desafios de projeto porque fazia interface com um sistema processador síncrono. Esses problemas se tornaram mais aparentes à medida que as velocidades do processador aumentaram.
Memória dinâmica de acesso aleatório síncrona, SDRAM funciona de forma síncrona com os comandos sincronizados com a borda de subida do clock.
Existem várias ações que podem ser tomadas pela memória. Estes são determinados pelo estado dos sinais de comando na borda de subida do relógio.
Existem seis sinais de controle que são usados para operação de SDRAM.
- /CAS Column Address Strobe Juntamente com /RAS e /WE, esta linha de controle no SDRAM seleciona um dos 8 comandos.
- CKE Clock Enable Quando este sinal está baixo, e após um ciclo de clock, a SDRAM é inibida e nenhum comando é interpretado apesar do estado das outras linhas.
A SDRAM é ativada na borda de subida do clock depois que o CKE é elevado. - /CS Chip Select Esta linha é utilizada quando vários chips são usados juntos e permite a seleção de um determinado SDRAM. Quando esta linha é alta, o chip ignora todas as outras entradas, exceto CKE.
- DQM Data Mask A linha DQM é usada para suprimir os dados de E/S quando estão altos. Para ações de leitura, quando a linha DQM é declarada alta dois ciclos antes de um ciclo de leitura, os dados lidos não saem do chip.
Há uma linha DQM por 8 bits em um chip de memória x16 ou DIMM - /RAS Row Address Strobe A linha /RAS é um bit de comando que permite a eleição de um dos oito comandos quando é ativado junto com /CAS e /WE.
- /WE Write enable Essa linha geralmente é usada em conjunto com /CAS e /RAS, mas normalmente distingue comandos de leitura de comandos de gravação.
Existem muitos comandos que podem ser enviados. A maioria das operações compreende vários comandos diferentes. Por exemplo, uma sequência típica pode incluir os seguintes comandos:
- Ativar: Isso envia um endereço de linha para o SDRAM para abrir uma linha, ou seja, página.
- Desmarcar comandos: Esses comandos dentro da operação SDRAM geral satisfazem os requisitos de tempo para a memória.
- Ler ou escrever: Isso é enviado com o endereço da coluna. Com uma linha aberta, vários comandos de leitura ou gravação podem ser executados. Isso permite uma atividade muito mais rápida, pois novas linhas não precisam ser abertas ou desativadas.
- Pré-carga: Um comando de pré-carga é necessário para fechar uma linha antes que uma nova linha possa ser aberta.
tempo SDRAM
A SDRAM tem vantagens significativas sobre a RAM mais tradicional. Uma das maneiras de conseguir isso é utilizando o tempo do sistema para obter um uso mais eficiente do tempo. Portanto, o tempo do SDRAM é de grande importância.
Existem várias temporizações de SDRAM que são de grande importância:
- Latência CAS: A latência CAS é o tempo entre o fornecimento de um endereço de coluna e o recebimento dos dados correspondentes. Para qualquer sistema, a latência CAS é programada no registro de modo do SDRAM e esperada pelo controlador DRAM. É definido em termos de um número específico de ciclos de clock.
- Tempo de ciclo de leitura: Este elemento do tempo de SDRAM é o tempo entre operações de leitura sucessivas para uma linha aberta. Os valores típicos são da ordem de 5 ns.
Estes são os principais controles e elementos de temporização usados para operação de SDRAM. Esses controles e os elementos de temporização permitem que o SDRAM faça interface com o tempo do processador e, dessa forma, opere de maneira eficaz.
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